Mo背电极对CIGS吸收层生长特性的影响

研究了利用单一四元靶材进行一步溅射法制备的CIGS薄膜的特性。研究了工作气压、衬底温度、Mo背电极对CIGS薄膜性能的影响。研究发现,当CIGS直接沉积在玻璃基底上时,一步溅射CIGS薄膜的优先取向和结晶度受工作气压和衬底温度的影响。而在器件制备方面,Mo背电极主导了CIGS薄膜的生长行为,并诱导其形成了较大的CIGS晶粒尺寸和较好的结晶度。最后,采用一步溅射法在0.07～2.66Pa的工作气压下制备了CIGS器件,最高效率达到8.67%。