| 改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索 |
| |
| 引用本文： | 李亚丽,杨瑞霞,杨克武. 改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索[J]. 电子器件, 2005, 28(1): 135-137 |
| |
| 作者姓名： | 李亚丽 杨瑞霞 杨克武 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;电子部第13研究所,石家庄,050051 |
| |
| 基金项目： | 军事预研项目;河北省自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性，但钝化效果不稳定。我们利用硫钝化和PECVDSiNr钝化相结合的方法，使钝化的稳定性得到了提高，但同时击穿电压会出现下降。击穿电压下降的主要原因是：As-S键很不稳定，在较高温度下分解，使GaAs表面负电荷密度减小，击穿电压下降。
|
| 关 键 词： | 硫钝化 GaAs MESFETs 稳定性 PECVD SiNx |
| 文章编号： | 1005-9490(2005)01-0135-03 |
An New Research in Improving the Sulfur Passivation Stability of GaAs MESFETs |
| |
| LI Ya-li,YANG Rui-xia,YANG Ke-wu. An New Research in Improving the Sulfur Passivation Stability of GaAs MESFETs[J]. Journal of Electron Devices, 2005, 28(1): 135-137 |
| |
| Authors: | LI Ya-li YANG Rui-xia YANG Ke-wu |
| |
| Abstract: | The breakdown characteristic of GaAs metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) can be greatly improved by sulfur passivation technique. However, the passivation effect is unstable. A novel method combining sulfur passivation with PECVD SiN_x passivation is developed. The experiment results indicate that a stable passivation effect can be achieved by this passivation technique, but the breakdown voltage decreased simultaneously. Breaking down of As-S bond in high temperature reduced the density of negative charge, which is the main reason that the breakdown voltage decreased. |
| |
| Keywords: | GaAs MESFETs PECVD SiNx |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
