| 热化学气相反应法制备SiC纳米粉的研究 |
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| 引用本文： | 杨修春 韩高荣. 热化学气相反应法制备SiC纳米粉的研究[J]. 功能材料, 1998, 29(5): 523-526 |
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| 作者姓名： | 杨修春 韩高荣 |
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| 作者单位： | 北京科技大学理化系!北京，100083，浙江大学材料系!杭州，310027，浙江大学材料系!杭州，310027，浙江大学材料系!杭州，310027，北京科技大学理化系!北京，100083 |
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| 摘 要： | 利用ＳｉＨ４－Ｃ２Ｈ４－Ｈ２系统的反应，在１４２３Ｋ￣１６７３Ｋ温度范围内对ＳｉＣ超细粉的合成进行了系统研究。采用的粉末表征方法有透射电镜（ＴＥＭ）、红外吸收谱（ＩＲ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、粉末比表面分析（ＢＥＴ），高分辨透射电镜（ＨＲＥＭ）和化学分析。结果表明，改变反应温度和反应气体组成比能获得高纯ＳｉＣ超细粉。在１４２３Ｋ￣１５７３Ｋ范围内，粉末富硅，当温度超过１６２３Ｋ时粉末富碳，在Ｔ＝１
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| 关 键 词： | 热化学气相反应 碳化硅 超细粉 粉末特征 纳米 |
The Studies of Synthesizing SiC Nanometer Powders by Chemical Vapour Reaction |
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| Yang Xiuchun, Han Gaorong, Du Piyi, Zhou Guozhi. The Studies of Synthesizing SiC Nanometer Powders by Chemical Vapour Reaction[J]. Journal of Functional Materials, 1998, 29(5): 523-526 |
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| Authors: | Yang Xiuchun Han Gaorong Du Piyi Zhou Guozhi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical vapor reaction SiC nanometer powder powder characteristics |
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