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Role of Oxygen Vacancies in Cr‐Doped SrTiO3 for Resistance‐Change Memory
Authors:M. Janousch  G. I. Meijer  U. Staub  B. Delley  S. F. Karg  B. P. Andreasson
Affiliation:1. Swiss Light Source, Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen PSI (Switzerland);2. IBM Research, Zurich Research Laboratory, 8803 Rüschlikon (Switzerland)
Abstract:
Keywords:Conductivity, metallic  Data storage  Perovskites  Transition metals
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