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电镀法制备的CoNiMnP永磁薄膜
引用本文:张金平,蒋洪川,张万里,张文旭,彭斌,杨仕清. 电镀法制备的CoNiMnP永磁薄膜[J]. 磁性材料及器件, 2003, 34(1): 4-6
作者姓名:张金平  蒋洪川  张万里  张文旭  彭斌  杨仕清
作者单位:电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054
基金项目:国防预研基金项目(JKA5005)
摘    要:采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜,并以该薄膜的微结构,组成,磁性能等进行了分析与测试,结果表明,在室温,pH值3~4,电流密度小于10mA/cm^2的条件下,能够获得性能良好的垂直各向异性CoNiMnP永磁薄膜,薄膜的组成(质量分数)为:Co90.32%,Ni7.83%,Mn0.74%,P1.11%,垂直薄膜方向磁性能为:Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m^3,平行薄膜方向磁性能为:Hc=27.8kA/m,Br=0.42T,(BH)max=3.2kJ/m^3。

关 键 词:电镀法 CoNiMnP永磁薄膜 垂直各向异性 微结构 磁性能
文章编号:1001-3830(2003)01-0004-03
修稿时间:2002-07-01

Electroplated CoNiMnP Permanent Magnet Film
ZHANG Jin-ping,JIANG Hong-chuan,ZHANG Wan-li,ZHANG Wen-xu,PENG Bin,YANG Shi-qing College of Microelectronics and Solid Electronics,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu ,China. Electroplated CoNiMnP Permanent Magnet Film[J]. Journal of Magnetic Materials and Devices, 2003, 34(1): 4-6
Authors:ZHANG Jin-ping  JIANG Hong-chuan  ZHANG Wan-li  ZHANG Wen-xu  PENG Bin  YANG Shi-qing College of Microelectronics  Solid Electronics  University of Electronic Science  Technology of China  Chengdu   China
Affiliation:ZHANG Jin-ping,JIANG Hong-chuan,ZHANG Wan-li,ZHANG Wen-xu,PENG Bin,YANG Shi-qing College of Microelectronics and Solid Electronics,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China
Abstract:
Keywords:CoNiMnP permanent magnet film  electroplating  vertical anisotropy  microstructure  magnetic properties  
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