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| Si基n型GaN的欧姆接触研究 | |
| 引用本文： | 李嘉炜,何乐年,陈忠景,叶志镇.Si基n型GaN的欧姆接触研究[J].真空科学与技术,2003,23(1):40-42. |
| 作者姓名： | 李嘉炜 何乐年 陈忠景 叶志镇 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室杭州310027 |
| 摘 要： | GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本对Si基n型GaN上的A1单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I—U特性曲线，X射线衍射以及二次离子质谱分析，揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响，提出了改善这两种电极欧姆接触的二次退火方法。 |
| 关 键 词： | 欧姆接触 Si基n型GaN 半导体 界面固相反应 二次退火 氮化镓 |
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