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| 低噪声GaAsFET双通道前端 | |
| 作者姓名： | G.彼得 蔡锦秀 |
| 摘 要： | 低噪声接收机系统的性能因受连接接收机和天线的传输线噪声影响而降低。因此,接收机的性能在一定程度上受射频放大器频带内天线阻抗变化的影响。本文描述能使放大器外部影响减至最小的L波段前端。这种设计使直接连接天线的波导法兰盘产生最小的接收机等效 |
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