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基于半桥MOSFET芯片铜带夹扣堆叠的电源SiP设计
作者姓名:康丙寅  易文双  方亚洲  张颖
作者单位:中国电子科技集团公司第二十四研究所
基金项目:重庆博士后研究项目特别资助;
摘    要:采用系统级封装(System in Package,SiP)设计是实现电源小型化的有效方式之一。同步BUCK DC-DC变换器中的半桥功率开关MOSFET,通过堆叠工艺利用纵向空间,将芯片的占用面积降低了36%。MOSFET芯片表面做焊锡浸润材料金属化处理,直接与铜带夹扣锡膏烧焊,将电流路径电阻减小了约10倍,同时热传导效率得到了改善。通过多芯片微组装工艺,将电源控制器、MOSFET芯片、电感器及其他必要器件集成在BGA陶瓷封装内。研制的电源SiP样机尺寸为20 mm×18 mm×4.8 mm,可双通道独立输出15 A,或双通道并联输出30 A电流,电源转换效率达93%以上。

关 键 词:系统级封装  铜带夹扣  堆叠  电源SiP
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