可控硅整流装置中的过电压产生及其保护

可控硅、硅整流二极管等半导体元件所允许反复施加的长时间电压和非反复施加仅一个正弦半波短时间电压(即所谓过电压能力),两者相差很小,大体上只有10～20％的裕度。为此对于可控硅变流装置过电压产生原因要搞清楚,而且必须设置必要的保护回路尽可能抑制这些过电压于半导体元件所允许反复施加的长时间电压幅值内。