| GaAs/InGaAs量子点应变场的TEM研究 |
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| 引用本文： | 任晓伟,朱静. GaAs/InGaAs量子点应变场的TEM研究[J]. 电子显微学报, 2003, 22(5): 395-399 |
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| 作者姓名： | 任晓伟 朱静 |
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| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程研究院,电子显微镜实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家863项目，清华大学985资助项目. |
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| 摘 要： | 运用透射电子显微术(TEM)对由分子束外延(MBE)制备的GaAs／InGaAs多层量子点样品进行观察和分析。利用对量子点周围应变场分布的模拟，定性解释了量子点形貌及其周围发现的凹陷区域。通过对量子点高分辨像显示的晶格错配和化学成分分析研究，解释了所研究样品中量子点尺寸逐层增大的现象。研究结果为量子点材料生长过程中应变场的控制提供了一些思路。
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| 关 键 词： | 量子点材料 MBE 分子束外延 场分布 TEM 尺寸 显示 错配 研究结果 观察 |
| 文章编号： | 1000-6281(2003)05-0395-05 |
Study of strain field in GaAs/InGaAs quantum dots by transmission electron microscopy |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum dot transmission electron microscopy strain field GaAs/InGaAs |
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