| 不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究 |
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| 引用本文： | 王莎莎,陈兢,张海霞.不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究[J].中国机械工程,2005,16(Z1):449-450. |
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| 作者姓名： | 王莎莎 陈兢 张海霞 |
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| 作者单位： | 北京大学微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 北京大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据.
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| 关 键 词： | 微机械系统 残余应力 薄膜 牺牲层 氮化硅 |
| 文章编号： | 1004-132X(2005)S1-0449-02 |
| 修稿时间： | 2005年3月31日 |
Internal Stress Measurement of LPCVD Silicon Nitride Deposited on Different Substrates |
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| Shasha Wang,Jing Chen,Haixia Zhang.Internal Stress Measurement of LPCVD Silicon Nitride Deposited on Different Substrates[J].China Mechanical Engineering,2005,16(Z1):449-450. |
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| Authors: | Shasha Wang Jing Chen Haixia Zhang |
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