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硅多条探测器的研制
引用本文:谭继廉,靳根明,王宏伟,段利敏,袁小华,王小兵,李松林,卢子伟,徐瑚珊,宁宝俊,田大宇,王玮,张录.硅多条探测器的研制[J].核电子学与探测技术,2004,24(6):551-554.
作者姓名:谭继廉  靳根明  王宏伟  段利敏  袁小华  王小兵  李松林  卢子伟  徐瑚珊  宁宝俊  田大宇  王玮  张录
作者单位:中国科学院近代物理研究所,甘肃兰州,730000;北京大学微电子研究所,北京,100871
摘    要:描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm。当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA。对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%~0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%~8%。

关 键 词:硅多条探测器  微电子工艺  电特性  探测特性  反向漏电流  能量分辨率
文章编号:0258-0934(2004)06-0551-04
修稿时间:2004年4月27日

Development of Si multi-strip detector
TAN Ji-lian,JIN Ge-ming,WANG Hong-wei,DUAN Li-min,YUAN Xiao-hua,WANG Xiao-bing,LI Song-lin,LU Zi-wei,XU Hu-shan,NING Bao-jun,TIAN Da-yu,WANG Wei,ZHANG Lu.Development of Si multi-strip detector[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2004,24(6):551-554.
Authors:TAN Ji-lian  JIN Ge-ming  WANG Hong-wei  DUAN Li-min  YUAN Xiao-hua  WANG Xiao-bing  LI Song-lin  LU Zi-wei  XU Hu-shan  NING Bao-jun  TIAN Da-yu  WANG Wei  ZHANG Lu
Abstract:
Keywords:Si multi-strip detector  microelectronic technique  electronic performance  detection performance  leakage current  energy resolution
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