| GexSi1-x材料生长的改善 |
| |
| 引用本文： | 李代宗,于卓,雷震霖,成步文,余金中,王启明.GexSi1-x材料生长的改善[J].材料研究学报,2000,14(2):215-217. |
| |
| 作者姓名： | 李代宗 于卓 雷震霖 成步文 余金中 王启明 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
2. 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室;中国科学院沈阳科学仪器研制中心 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69896260-06,69746001,69787004; |
| |
| 摘 要： | 利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵，改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明，外延层衍射峰半宽仅为１９８ａｒｃｓｅｃ，且出现了Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹，说明外延层结晶质量很好。
|
| 关 键 词： | 超高真空化学气相淀积 硅化锗材料 晶体生长 |
| 文章编号： | 1005-3093(2000)02-0215-03 |
| 修稿时间： | 1999年3月4日 |
IMPROVEMENT ON THE GROWTH OF GexSi1-x MATERIAL |
| |
| LI Daizong,YU Zhuo,LEI Zhenlin,CHENG Buwen,YU Jinzhong,WANG Qiming.IMPROVEMENT ON THE GROWTH OF GexSi1-x MATERIAL[J].Chinese Journal of Materials Research,2000,14(2):215-217. |
| |
| Authors: | LI Daizong YU Zhuo LEI Zhenlin CHENG Buwen YU Jinzhong WANG Qiming |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | UHV/CVD GeSi DCXRD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
