| 利用等离子体表面预处理改善光掩模IP胶显影工艺特性 |
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| 引用本文： | 李勇,程秀兰. 利用等离子体表面预处理改善光掩模IP胶显影工艺特性[J]. 微细加工技术, 2007, 2(2): 16-19 |
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| 作者姓名： | 李勇 程秀兰 |
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| 作者单位： | 1. 上海交通大学,微电子学院,上海,200030;上海凸版光掩模有限公司,上海,200233
2. 上海交通大学,微电子学院,上海,200030 |
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| 摘 要： | IP胶亲水性较差,在显影时易造成显影不完全。介绍了一种在显影前适当增加等离子体表面预处理,以提高IP胶表面微粗糙度,进而改善IP胶显影特性的方法。研究表明,这种方法可有效地提高IP胶的亲水性和显影均匀性,其中静态接触角可从原来的77°降至45°,而IP胶的厚度损失仅为3 nm~5 nm;同时,还可有效降低由于胶表面的颗粒污染所造成的铬金属点缺陷数量,即从原来的4颗/块降至0.53颗/块。除此之外,这种方法还非常有助于提高具有密集图形和带孔掩模版的图形分辨率和成品率,其中成品损失率可从原来的14%降至处理后的2%。
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| 关 键 词： | IP胶 光掩模 显影 等离子表面预处理 亲水性 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)02-0016-04 |
| 修稿时间： | 2006-08-22 |
Improvement of Development Property of IP Resist on Photomask by Plasma Surface Pretreatment |
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| LI Yong,CHENG Xiu-lan. Improvement of Development Property of IP Resist on Photomask by Plasma Surface Pretreatment[J]. Microfabrication Technology, 2007, 2(2): 16-19 |
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| Authors: | LI Yong CHENG Xiu-lan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | IP resist photomask development plasma pre-treatment of surface hydrophilicity |
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