| 退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响 |
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| 引用本文： | 冯鹤,丁栋舟,李焕英,陆晟,潘尚可,陈晓峰,张卫东,任国浩. 退火对提拉法生长Lu2Si2O7:Ce晶体闪烁性能的影响[J]. 无机材料学报, 2009, 24(5). DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.01054 |
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| 作者姓名： | 冯鹤 丁栋舟 李焕英 陆晟 潘尚可 陈晓峰 张卫东 任国浩 |
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| 作者单位： | 中国科学院,上海硅酸盐研究所,中试基地,上海,201800 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目，国家"863"计划 |
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| 摘 要： | Lu2Si2O7:Ce (LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV (简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低. 实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响. 发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率. 通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长. 同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.
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| 关 键 词： | LPS:Ce晶体 退火制度 发光效率 吸收谱 发射光谱 |
Effect of Annealing Treatments on Scintillation Properties of Lu2Si2O7:Ce Grown by Czochralski Method |
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| FENG He,DING Dong-Zhou,LI Huan-Ying,LU Sheng,PAN Shang-Ke,CHEN Xiao-Feng,ZHANG Wei-Dong,REN Guo-Hao. Effect of Annealing Treatments on Scintillation Properties of Lu2Si2O7:Ce Grown by Czochralski Method[J]. Journal of Inorganic Materials, 2009, 24(5). DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.01054 |
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| Authors: | FENG He DING Dong-Zhou LI Huan-Ying LU Sheng PAN Shang-Ke CHEN Xiao-Feng ZHANG Wei-Dong REN Guo-Hao |
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