| 6H-SiC高压肖特基势垒二极管 |
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| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立,徐萍,葛永才,姚文卿,高翠华. 6H-SiC高压肖特基势垒二极管[J]. 半导体学报, 2001, 22(8): 1052-1056 |
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| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 徐萍 葛永才 姚文卿 高翠华 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
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| 摘 要： | 在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .8V
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| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SiC |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）08-1052-05 |
| 修稿时间： | 2000-09-09 |
6H-SiC High-Voltage Schottky Barrier Diodes |
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| WANG Shu-rui,LIU Zhong-li,XU Ping,GE Yong-cai,YAO Wen-qing and GAO Cui- hua. 6H-SiC High-Voltage Schottky Barrier Diodes[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(8): 1052-1056 |
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| Authors: | WANG Shu-rui LIU Zhong-li XU Ping GE Yong-cai YAO Wen-qing GAO Cui- hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon carbide Schottky barrier diode 6H-SiC |
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