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氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究
引用本文:李牧菊,杨柏梁,朱永福,袁剑峰,刘传珍,廖燕平,吴渊. 氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究[J]. 液晶与显示, 1999, 14(3): 193-198
作者姓名:李牧菊  杨柏梁  朱永福  袁剑峰  刘传珍  廖燕平  吴渊
作者单位:中国科学院长春物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130021
摘    要:用等离子体增强化学气相淀积( P E C V D)制备了氢化非晶硅薄膜(a Si∶ H)并进行了退火实验, 利用红外吸收光谱( I R)和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象, 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ts 和射频功率 Prf 的依赖关系。

关 键 词:非晶硅  化学气相淀积  红外光谱  金相显微

Infrared Spectrum and Hydrogen Release of Hydrogenated Amorphous Silicon
LI Mu-ju,YANG Bai-liang,ZHU Yong-fu,YUAN Jian-feng,LIU Chuan-zhen,LIAO Yan-ping,WU Yuan. Infrared Spectrum and Hydrogen Release of Hydrogenated Amorphous Silicon[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 1999, 14(3): 193-198
Authors:LI Mu-ju  YANG Bai-liang  ZHU Yong-fu  YUAN Jian-feng  LIU Chuan-zhen  LIAO Yan-ping  WU Yuan
Abstract:
Keywords:amorphous silicon  CVD  IR spectrum  metaloscope  
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