| 光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)--晶体原料、起始配比与提出量的讨论 |
| |
| 引用本文： | 王继扬,张建秀,刘耀刚,孔海宽,葛炳辉,董胜明,严振华,尹鑫,蒋民华.光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)--晶体原料、起始配比与提出量的讨论[J].硅酸盐学报,2004,32(11):1371-1376. |
| |
| 作者姓名： | 王继扬 张建秀 刘耀刚 孔海宽 葛炳辉 董胜明 严振华 尹鑫 蒋民华 |
| |
| 作者单位： | 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
| |
| 基金项目： | 教育部博士点基金(20020422007)资助项目. |
| |
| 摘 要： | 根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要，生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体。根据大量晶体生长实验的结果，讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系，认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大。实际生长光学应用的LGS晶体过程中，La2O3纯度为5N(或6N)，而SiO2为6N。起始组分配比应选共熔点处的配比，即x(La2O3)=30．00％，x(Ga2O3)=50．65％，x(SiO2)=19．35％。考虑到生长过程中Ga2O3的挥发，Ga2O3应适当过量，n(Ga)／n(Si)范围为5．20～5．30。晶体提出量与起始组分有关，晶体提出量以50％～60％为宜。
|
| 关 键 词： | 硅酸镓镧 晶体生长 提拉法 晶体原料 起始组分配比 提出量 |
| 文章编号： | 0454-5648(2004)11-1371-06 |
| 修稿时间： | 2004年3月23日 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
