| NEA GaN光电阴极的制备与评估 |
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| 引用本文： | 高频,王晓晖,杜玉杰,李彪,付晓倩.NEA GaN光电阴极的制备与评估[J].红外技术,2011,33(6):332-335. |
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| 作者姓名： | 高频 王晓晖 杜玉杰 李彪 付晓倩 |
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| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094 |
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| 摘 要： | 对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEAGaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了P型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150 am的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEAGaN光电阴极.利用实验室制备的多信息量测试系...
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| 关 键 词： | GaN光电阴极 NEA 制备工艺 |
Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode |
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| GAO Pin,WANG Xiao-hui,DU Yu-jie,LI Biao,FU Xiao-qian.Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode[J].Infrared Technology,2011,33(6):332-335. |
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| Authors: | GAO Pin WANG Xiao-hui DU Yu-jie LI Biao FU Xiao-qian |
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