| NEA GaN光电阴极的制备与评估 |
| |
| 引用本文： | 高频, 王晓晖, 杜玉杰, 李彪, 付晓倩. NEA GaN光电阴极的制备与评估[J]. 红外技术, 2011, 33(6): 332-335. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005 |
| |
| 作者姓名： | 高频 王晓晖 杜玉杰 李彪 付晓倩 |
| |
| 作者单位： | 南京理工大学电子工程与光电技术学院,江苏,南京,210094 |
| |
| 摘 要： | 对GaN的结构性质进行了介绍,研究了NEAGaN光电阴极的制备方法,利用MOCVD生长了P型掺杂浓度为1.6×1017cm-3发射层厚度150 am的GaN样品,在进行了GaN表面净化处理得到原子级清洁表面后,在超高真空系统中对GaN光电阴极进行了Cs/O激活,获得了NEAGaN光电阴极.利用实验室制备的多信息量测试系统对成功激活后的NEAGaN光电阴极进行了评估,结果显示:NEAGaN光电阴极的反射式量子效率达到了30%,透射式量子效率达到了12%.
|
| 关 键 词： | GaN光电阴极 NEA 制备工艺 |
Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode |
| |
| GAO Pin, WANG Xiao-hui, DU Yu-jie, LI Biao, FU Xiao-qian. Preparation and Evaluation of NEA GaN Photocathode[J]. Infrared Technology , 2011, 33(6): 332-335. DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2011.06.005 |
| |
| Authors: | GAO Pin WANG Xiao-hui DU Yu-jie LI Biao FU Xiao-qian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《红外技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《红外技术》下载全文 |
|
