| 光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价 |
| |
| 引用本文： | 钱大憨,贾嘉,陈昱,王韡,汤亦聃,朱龙源,李向阳.光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价[J].红外技术,2011,33(6):328-331,344. |
| |
| 作者姓名： | 钱大憨 贾嘉 陈昱 王韡 汤亦聃 朱龙源 李向阳 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院上海技术物理研究所,中科院红外成像材料与器件重点实验室,上海,200083 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海市自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化.通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现.通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞.这表明宏观...
|
| 关 键 词： | 曲面延伸电极 光导型碲镉汞红外探测器 电阻表征 扫描电子显微镜 微观形貌 |
The Evaluation of Curved Extended-electrode of HgCdTe IR Photoconductive Detector |
| |
| QIAN Da-han,JIA Jia,CHENG Yu,WANG Wei,TANG Yi-dan,ZHU Long-yuang,LI Xiang-yang.The Evaluation of Curved Extended-electrode of HgCdTe IR Photoconductive Detector[J].Infrared Technology,2011,33(6):328-331,344. |
| |
| Authors: | QIAN Da-han JIA Jia CHENG Yu WANG Wei TANG Yi-dan ZHU Long-yuang LI Xiang-yang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
