| 等离子体辅助ITO薄膜低温生长 |
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| 引用本文： | 张天伟,杨会生,罗庆红,王燕斌,陆永浩.等离子体辅助ITO薄膜低温生长[J].真空科学与技术学报,2008,28(Z1):74-78. |
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| 作者姓名： | 张天伟 杨会生 罗庆红 王燕斌 陆永浩 |
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| 作者单位： | 北京科技大学材料科学与工程学院,北京 |
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| 摘 要： | 采用基片加热和后期热处理的手段使ITO薄膜结晶和调整其组织结构来降低电阻的方法,已经被广泛应用于在玻璃等基体上制备ITO薄膜.但是随着不耐高温的柔性基体的广泛使用,ITO薄膜低温生长已经成为一个重要的研究课题.为此,本研究探讨室温等离子体辅助条件下,ITO薄膜沉积生长过程,以期为上述问题的解决提供理论依据.研究结果表明等离子辅助可以有效控制ITO薄膜的结晶程度和晶粒尺寸以及晶界结构,在优化条件下,在PET基体上制备出电阻率为1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 等离子辅助 ITO薄膜 等离子体 薄膜 低温生长 Deposition Plasma Film Growth 电阻率 优化条件 晶界结构 晶粒尺寸 结晶程度 控制 离子辅助 结果 理论 问题 过程 沉积生长 辅助条件 室温 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)增刊-074-05 |
| 修稿时间： | 2007年8月25日 |
Low Temperature ITO Film Growth by Plasma Assisted Deposition |
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| Zhang Tianwei,Yang Huisheng,Luo Qinghong,Wang Yanbin,Lu Yonghao.Low Temperature ITO Film Growth by Plasma Assisted Deposition[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2008,28(Z1):74-78. |
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| Authors: | Zhang Tianwei Yang Huisheng Luo Qinghong Wang Yanbin Lu Yonghao |
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