特高频放大器用的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管

本文介绍利用异质结注入和GaAs中电子弹道运动的AlGaAs/GaAs异质结弹道双极晶体管(简称BBT)的理论和设计。指出并讨论了成功地实现这种新型特高频(EHF)三端固体器件的主要因素。我们首次提出,发射结的理想结构要有适当的铝浓度及适当的掺杂剖面分布,并且首次提出“倒置”异质结双极器件的结构。所提出的倒置BBT结构的优点是减小基极电流和减小具有重大影响的发射极-基极电容。这种新型器件的性能使三端固体器件成为首先实现特高频范围(60GHz以上)放大和GaAs千兆赫比特逻辑组件方面十分引人注意的候选者。我们相信,BBT在模拟和数数字MMIC、M~3IC方面应用是一种有极大希望的新型三端器件。