| 光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响 |
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| 引用本文： | 吴伯涛,曹林洪,周秀文,湛志强. 光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响[J]. 广州化工, 2020, 48(8): 45-48,61. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9677.2020.08.018 |
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| 作者姓名： | 吴伯涛 曹林洪 周秀文 湛志强 |
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| 作者单位： | 西南科技大学材料科学与工程学院,四川 绵阳 621900,西南科技大学材料科学与工程学院,四川 绵阳 621900,中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900,中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川 绵阳 621900 |
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| 基金项目： | 西南科技大学龙山人才科研支持计划 |
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| 摘 要： | 采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C_2H_5OH(99%):H_2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。
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| 关 键 词： | 光电化学腐蚀法 多孔硅阵列 工艺优化 结构规整 |
Effect of Photo-electrochemical Etching Method on Porous Silicon Arrays |
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| WU Bo-tao,CAO Lin-hong,ZHOU Xiu-wen,ZHAN Zhi-qiang. Effect of Photo-electrochemical Etching Method on Porous Silicon Arrays[J]. GuangZhou Chemical Industry and Technology, 2020, 48(8): 45-48,61. DOI: 10.3969/j.issn.1001-9677.2020.08.018 |
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| Authors: | WU Bo-tao CAO Lin-hong ZHOU Xiu-wen ZHAN Zhi-qiang |
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