| BST薄膜射频磁控溅射工艺与介电性能研究 |
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| 引用本文： | 李明利,余琼,汤彬彩,陈晓露.BST薄膜射频磁控溅射工艺与介电性能研究[J].兵器材料科学与工程,2021,44(4):81-86. |
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| 作者姓名： | 李明利 余琼 汤彬彩 陈晓露 |
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| 作者单位： | 浙江医药高等专科学校,浙江宁波315500;浙江医药高等专科学校,浙江宁波315500;中国兵器科学研究院宁波分院,浙江宁波315103;归创通桥医疗科技股份有限公司,浙江杭州311100 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射在单晶氧化铝基片上制备钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)薄膜.研究溅射功率、基片温度、靶基距、溅射气压、气氛组成、溅射时间等溅射参数、热处理条件对薄膜表面形貌及生长过程的影响,测试薄膜的介电常数、介电损耗及介电常数随外加偏置电场的变化.结果表明:靶基距为100 mm,溅射功率为300～320 W,气氛压力为0.8 Pa,氩氧比为5:1时,沉积时间在2～4 h,沉积速率适中,薄膜致密性好,厚度约为0.8～1.0μm;600℃热处理30 min得到晶粒为纳米尺寸且结构致密的BST薄膜;BST薄膜介电常数随测试频率升高略有下降,介电损耗随测试频率升高明显增大,介电常数随外加偏置电场变化展现出较好的偏场可调特性.
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| 关 键 词： | 钛酸锶钡薄膜 射频磁控溅射 工艺参数 表面形貌 介电性能 |
Process and dielectric properties of BST films prepared by RF magnetron sputtering method |
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| LI Mingli,YU Qiong,TANG Bincai,CHEN Xiaolu.Process and dielectric properties of BST films prepared by RF magnetron sputtering method[J].Ordnance Material Science and Engineering,2021,44(4):81-86. |
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| Authors: | LI Mingli YU Qiong TANG Bincai CHEN Xiaolu |
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