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| 高性能可编程逻辑器件GAL | |
| 作者姓名： | 卢廷勋 陆虹 |
| 作者单位： | 电子工业部东北微电子研究所 沈阳110032 |
| 摘 要： | GAL器件是在PAL器件基础上综合E~2PROM技术及CMOS工艺发展起来的PLD,本文主要对GAL器件的基本结构及其结构设计特点进行较为详细地叙述,并简单介绍了其工艺技术。 |
| 关 键 词： | 逻辑器件 GAL器件 结构 |
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