| 硅中氧的FTIR研究 |
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| 引用本文： | 马碧兰,朱景兵.硅中氧的FTIR研究[J].红外与毫米波学报,1992,11(4):327-330. |
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| 作者姓名： | 马碧兰 朱景兵 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系，中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室，复旦大学物理系，同济大学物理系，上海无线电十七厂，复旦大学物理系 上海，200433，上海，200083，上海，200433，上海，200092，上海，200010，上海，200433 |
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| 基金项目： | 红外物理国家重点实验室部分资助课题 |
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| 摘 要： | 对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm~(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.
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| 关 键 词： | 硅 氧 红外辐射 |
FTIR STUDY OF OXYGEN IN SILICON |
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| Ma Bilan,Zhu Jinbin,Wu Jiangen Zhang Jichang,Zhou Shoutong,Qu Fengyuan.FTIR STUDY OF OXYGEN IN SILICON[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1992,11(4):327-330. |
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| Authors: | Ma Bilan Zhu Jinbin Wu Jiangen Zhang Jichang Zhou Shoutong Qu Fengyuan |
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| Abstract: | Silicon crystals of different oxygen contents have been investigated by means of
infrared absorption spectroscopy at 300K and 4.2K. It is seen from the experiments that
the absorption band at 1127cm~(-1)at low temperatures (80~4.2K) is due to oxygen absorp-
tion. |
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| Keywords: | silicon oxygen infrared absorption |
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