| 高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试 |
| |
| 引用本文： | 李国强,谷智,介万奇. 高阻值Cd_(1-x)Zn_xTe晶体的生长及其性能测试[J]. 半导体学报, 2003, 24(8): 833-836 |
| |
| 作者姓名： | 李国强 谷智 介万奇 |
| |
| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室 西安710072(李国强，谷智)，西北工业大学凝固技术国家重点实验室 西安710072(介万奇) |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9982 0 0 6)~~ |
| |
| 摘 要： | 通过适当的工艺措施,采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd0 9Zn0 1Te晶锭.测试结果表明:该晶锭结晶质量良好,位错密度低,成分均匀,杂质含量低,红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd0 9Zn0 1Te的值.并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度,分析了生长高性能晶体的条件,研究了生长Cd1-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系
|
| 关 键 词： | Cd1-xZnxTe 布里奇曼法 电阻率 红外透过率 结晶质量 |
Growth of High Resistance Cd_(1-x)Zn_xTe Crystal and Its Property Investigations |
| |
| Li Guoqiang,Gu Zhi and Jie Wanqi. Growth of High Resistance Cd_(1-x)Zn_xTe Crystal and Its Property Investigations[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(8): 833-836 |
| |
| Authors: | Li Guoqiang Gu Zhi Jie Wanqi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cd 1-x Zn x Te Bridgman method resistance transmittance crystallinity |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
