| 非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应 |
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| 引用本文： | 刘立慧,高斐,郝培风,刘晓静,张君善,权乃承,孙杰. 非均匀的纳米晶硅(nc-Si)薄膜的横向热伏效应[J]. 功能材料, 2010, 41(Z3) |
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| 作者姓名： | 刘立慧 高斐 郝培风 刘晓静 张君善 权乃承 孙杰 |
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| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费用专项资金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术在石英衬底上沉积1层200nm厚的非晶硅(a-Si)薄膜,并用真空热蒸发在其上沉积两个横向接触的厚度不同(分别为50和100nm)的Al膜.将已沉积好的薄膜在N2气氛中600℃下退火45min,得到两个横向接触的具有不同晶化程度的纳米晶硅(nc-si)薄膜.利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)研究了所制备样品的结构特性.由较厚Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为25nm,晶化率为56%;由较薄Al膜诱导的nc-Si薄膜的Si晶粒平均尺寸为15nm,晶化率为23%.实验发现在没有温度梯度的情况下,这两个不同晶化程度的nc-Si薄膜之间具有横向热伏效应.温度为273K时,其开路电压为1.2mV,短路电流为40nA;当温度达到373K时,其开路电压达到25mV,短路电流达到1.171μA.
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| 关 键 词： | 横向热伏效应 纳米晶硅(nc-Si)薄膜 Al诱导晶化 开路电压 短路电流 |
Transversal thermovoltaic effect between two nc-Si:a-Si films with different crystallization degree |
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| LIU Li-hui,GAO Fei,HAO Pei-feng,LIU Xiao-jing,ZHANG Jun-shan,QUAN Nai-cheng,SUN Jie. Transversal thermovoltaic effect between two nc-Si:a-Si films with different crystallization degree[J]. Journal of Functional Materials, 2010, 41(Z3) |
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| Authors: | LIU Li-hui GAO Fei HAO Pei-feng LIU Xiao-jing ZHANG Jun-shan QUAN Nai-cheng SUN Jie |
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