| 掠入射质子荧光分析技术研究 |
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| 引用本文： | 李红日,王广甫,梁琨,杨茹,韩德俊.掠入射质子荧光分析技术研究[J].核电子学与探测技术,2009,29(3). |
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| 作者姓名： | 李红日 王广甫 梁琨 杨茹 韩德俊 |
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| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 |
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| 基金项目： | 北京市教育委员会凝聚态物理共建项目，北京市人事局北京市留学人员科技活动择优资助项目 |
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| 摘 要： | 首次提出采用掠入射质子荧光分析(PIXE)方法对表面存在污染的铝片、注入铁离子的单晶硅片以及注入氧隔离SOI半导体材料进行了分析.实验结果表明,现有PIXE分析技术不需要对设备做任何重大的升级改造,只是简单的采用掠入射方法,就能有效提高其表面分析的灵敏度.通过研究不同角度时峰面积与探测限之比与穿透深度之间的关系,得出质子柬在样品中的穿透深度越浅,峰面积与探测限的比值就越大,可检测的表面污染的灵敏度就越高.
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| 关 键 词： | PIXE分析 掠入射 痕量分析 |
Grazing-incident PIXE Analysis Technology |
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| LI Hong-ri,WANG Guang-pu,LIANG Kun,YANG Ru,HAN De-jun.Grazing-incident PIXE Analysis Technology[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2009,29(3). |
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| Authors: | LI Hong-ri WANG Guang-pu LIANG Kun YANG Ru HAN De-jun |
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