| P型透明导电材料及器件应用研究进展 |
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| 引用本文： | 王华,冯湘,许积文,任明放,杨玲. P型透明导电材料及器件应用研究进展[J]. 激光与光电子学进展, 2009, 46(9). DOI: 10.3788/LOP20094609.0040 |
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| 作者姓名： | 王华 冯湘 许积文 任明放 杨玲 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,广西桂林,541004;郑州铁路职业技术学院机电系,河南郑州,450052 |
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| 基金项目： | 广西高校百名中青年学科带头人资助计划(RC2006080914)资助课题 |
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| 摘 要： | 基于透明器件广阔的应用前景,P型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点,并在近年来取得了令人瞩目的进展.综述了P型ZnO基氧化物、P型含铜氧化物、P型硫族化合物等透明导电材料及其器件应用的研究现状,重点介绍了近年来出现的P型掺杂的新方法、新机制及新材料的性能,并指出了今后的发展趋势和研究重点.
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| 关 键 词： | 薄膜 透明导电材料 P型掺杂 器件 |
Frontier of P-Type Transparent Conductive Thin Films and Devices |
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| Wang Hua,Feng Xiang,Xu Jiwen,Ren Mingfang,Yang Ling. Frontier of P-Type Transparent Conductive Thin Films and Devices[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2009, 46(9). DOI: 10.3788/LOP20094609.0040 |
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| Authors: | Wang Hua Feng Xiang Xu Jiwen Ren Mingfang Yang Ling |
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