掺杂工艺对Al-F共掺ZnO薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂工艺在普通玻璃基片上制备出Al-F共掺杂ZnO薄膜，共掺杂离子浓度从0．25％增加到1．25％，退火气氛分别为空气、氢气和氩气，退火温度均为450℃。利用SEM测试方法研究了共掺杂离子浓度和退火气氛对薄膜表面形貌的影响；用紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器对其对其透光性以及电阻率进行了测试，进一步研究了退火气氛对薄膜光电性能的影响。结果表明：制备的Al-F共掺杂ZnO薄膜多数表面平整，晶粒致密均匀；各种气氛下制备的薄膜在可见光大部分范围内透过率均超过80％；通过比较不同气氛下各种薄膜的电阻率，得知在H2气氛中退火处理后其电阻率最低为9．36×10^-2Ω·cm；与单一掺杂Al离子或F离子的薄膜相比较，Al—F共掺ZnO薄膜电阻率最低。