影响半导体钛酸钡PTCR效应的因素

<正> 一、引言 大家知道,在作为强电介质的钛酸钡中添加了微量的稀土元素或者三氧化二锑、三氧化二钇、五氧化二铌等而半导体化了的钛酸钡陶瓷,在其居里点(约120℃)以上,显示出异常的正电阻温度系数(PTCR)。这种PTCR材料因具有的特殊的电阻一温度系数、电流一电压、电流一时间等特性,所以被用来制作定温度发热体、温度检测、延迟元件等。半导体化钛酸钡现巳成为一种重要的电子陶瓷材料。