| n型同轴高纯锗探测器 |
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| 引用本文： | 吴绍云,王征华.n型同轴高纯锗探测器[J].核电子学与探测技术,1987(2). |
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| 作者姓名： | 吴绍云 王征华 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学院
(吴绍云)，中国原子能科学院(王征华) |
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| 摘 要： | 本文介绍了研制n型同轴高纯锗探测器的方法及技术。探测器具有薄的(约0.3μm)离子注入p~+外接触,可探测0.005—10MeV的X和γ射线,并具有较高的耐辐射损伤性能,所研制成的探测器灵敏体积约120cm~3,对1.33MeVγ射线:相对效率为24.5％,能量分辨率为2.13keV,峰康比为48.3:1,电子学噪声为1.28keV。
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| 关 键 词： | 高纯锗 n型同轴探测器 离子注入接触 制备 性能 |
The n-Type Coaxial HPGe Detector |
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| Wu Shaoyun Wang Zhenghua.The n-Type Coaxial HPGe Detector[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,1987(2). |
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| Authors: | Wu Shaoyun Wang Zhenghua |
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| Affiliation: | Institute of Atomic Energy of China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HPGe n-type coaxial detector Ion implanted contact Radiation damage Relative efficiency Energy resolution |
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