| 微光刻相移掩模技术研究 |
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| 引用本文： | 冯伯儒,孙国良,沈锋,阙珑,陈宝钦,崔铮.微光刻相移掩模技术研究[J].光电工程,1996(Z1). |
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| 作者姓名： | 冯伯儒 孙国良 沈锋 阙珑 陈宝钦 崔铮 |
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| 作者单位： | 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!成都，610209，中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!成都，610209，中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室!成都，610209，中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 中国国家自然科学基金资助项目，编号为 6 92 76 0 1 |
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| 摘 要： | 本文系统地论述了提高光刻分辨率的相移掩模技术的基本原理、计算模拟和光刻曝光实验 ;给出了模拟和实验结果 ;研究表明 ,只有在一定的临界参数条件下 ,相移掩模才能明显地改善分辨率和工艺宽容度 ;采用无铬相移掩模得到了 0 .2 μm的清晰抗蚀剂图形 ,证明了相移掩模在提高光刻分辨率、延长光刻技术寿命以及推进光刻技术极限发展方面的优良性能
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| 关 键 词： | 投影光刻 相移掩模 高分辨率 计算机模拟 |
Optical Microlithographic Phase-Shifting Mask Technology |
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| Feng Boru,Sun Guoliang,Shen Feng,Que Long.Optical Microlithographic Phase-Shifting Mask Technology[J].Opto-Electronic Engineering,1996(Z1). |
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| Authors: | Feng Boru Sun Guoliang Shen Feng Que Long |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Projection lithography Phase shifting mask High resolution Computer simulation |
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