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TyPe-Ⅱ型中红外发光二极管及激光器的进展情况
作者姓名:宋振宇  王一丁  安宇鹏  李黎  曹峰  张宇
作者单位:吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021
摘    要:目前,中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的结构设计做了比较详细的介绍。这些器件已能在218K温度下连续工作,其功率达到了500mW,78K时的阈值电流密度为31A/cm~2,特征温度也达到了103K。

关 键 词:Type-Ⅱ型W结构激光器  多量子阱  俄歇复合  自由载流子吸收
文章编号:1672-8785(2007)12-0038-05
修稿时间:2007-07-09
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