TyPe-Ⅱ型中红外发光二极管及激光器的进展情况 |
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作者姓名: | 宋振宇 王一丁 安宇鹏 李黎 曹峰 张宇 |
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作者单位: | 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021;吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130021 |
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摘 要: | 目前,中红外器件的应用已越来越广泛。为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的结构设计做了比较详细的介绍。这些器件已能在218K温度下连续工作,其功率达到了500mW,78K时的阈值电流密度为31A/cm~2,特征温度也达到了103K。
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关 键 词: | Type-Ⅱ型W结构激光器 多量子阱 俄歇复合 自由载流子吸收 |
文章编号: | 1672-8785(2007)12-0038-05 |
修稿时间: | 2007-07-09 |
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