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金刚石/氧化锌透明异质结的研制
引用本文:杨洁,高春晓.金刚石/氧化锌透明异质结的研制[J].硅酸盐学报,2004,32(3):230-232,238.
作者姓名:杨洁  高春晓
作者单位:吉林大学,超硬材料国家重点实验室,长春,130012;空军长春飞行学院,长春,130022;吉林大学,超硬材料国家重点实验室,长春,130012
基金项目:国家自然科学基金 (695 760 12 )资助项目
摘    要:利用化学气相沉积和磁控溅射方法制备了透明金刚石薄膜/氧化锌异质结。首先,在金刚石单晶表面外延生长1层透明p型半导体金刚石薄膜,然后在金刚石薄膜上利用反应磁控溅射方法制备出n型透明氧化锌半导体薄膜;进而利用溅射、光刻等方法制备出欧姆接触电极,获得了金刚石/氧化锌透明异质pn结。该结呈现典型的二极管伏安特性曲线,开启电压为1.0V。在500~700nm波长范围内,该结的透过率达到20%。

关 键 词:金刚石薄膜  氧化锌薄膜  异质结  化学气相沉积  磁控溅射
文章编号:0454-5648(2004)03-0230-03

PREPARATION OF TRANSPARENT DIAMOND/ZnO HETERO-JUNCTION
YANG Jie.PREPARATION OF TRANSPARENT DIAMOND/ZnO HETERO-JUNCTION[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2004,32(3):230-232,238.
Authors:YANG Jie
Abstract:
Keywords:diamond film  zinc oxide film  hetero-junction  chemical vapor deposition  magnetic sputtering  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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