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| 石墨烯器件结构参数对光电特性的影响 | |
| 引用本文： | 胡茜,梁海锋,蔡长龙,张颖莉,张祎祎.石墨烯器件结构参数对光电特性的影响[J].西安工业大学学报,2021(3):308-314,322. |
| 作者姓名： | 胡茜 梁海锋 蔡长龙 张颖莉 张祎祎 |
| 摘 要： | 为了提高石墨烯基器件的光电响应性能,采用化学气相沉积法制备单层石墨烯,制备石墨烯/二氧化硅/硅结构器件;采用紫外-可见分光光度计、光学显微镜以及拉曼光谱对石墨烯薄膜进行材料特性表征,测试和分析不同结构参数的石墨烯器件在光辐照下的光电特性.研究结果表明:当甲烷流量为30 sccm,反应温度为1 030℃,退火时间为20 ... |
| 关 键 词： | 石墨烯 MIS结 介质厚度 光电响应 |
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