| 一种4阶曲率补偿低温漂低功耗带隙基准源 |
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| 引用本文： | 谭玉麟,冯全源. 一种4阶曲率补偿低温漂低功耗带隙基准源[J]. 微电子学, 2016, 46(1): 34-37 |
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| 作者姓名： | 谭玉麟 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756,西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61271090)；国家自然科学基金重点项目(61531016) |
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| 摘 要： | 基于UMC 0.25 μm BCD工艺,设计了一种4阶曲率补偿的低温漂带隙基准电压源。通过设置正负温度系数相异的电阻的比值,抵消了三极管发射极-基极电压泰勒级数展开后的高阶项,实现了4阶曲率补偿。经过Hspice仿真验证,基准输出电压为1.196 V,-40 ℃~150 ℃温度范围内温度系数达到1.43×10-6/℃；低频时电源抑制比为-70.8 dB,供电电压在1.7~5 V变化时,基准输出电压的线性调整率为0.039%,整体静态电流仅为9.8 μA。
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| 关 键 词： | 带隙基准 曲率补偿 低温漂 低功耗 |
| 收稿时间： | 2014-12-10 |
A Low Temperature Coefficient and Low Power 4th-OrderCurvature Compensated Bandgap Reference |
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| TAN Yulin and FENG Quanyuan. A Low Temperature Coefficient and Low Power 4th-OrderCurvature Compensated Bandgap Reference[J]. Microelectronics, 2016, 46(1): 34-37 |
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| Authors: | TAN Yulin and FENG Quanyuan |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China and Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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