n~+p~+p-n结隔离CMOS铝栅工艺 |
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作者姓名: | 初桂珍 |
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作者单位: | 华晶电子集团公司中央研究所 |
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摘 要: | 本文介绍一种新的n ̄+p ̄+p-n结隔离铝栅大规模集成电路工艺。它与常规铝栅CMOS工艺的重要区别在于,采用n ̄+p ̄+p-n结隔离技术,芯片上无低掺杂浓度区与厚的场氧化绝缘膜,场氧化膜与栅氧化膜在同一工序中完成并且厚度相接近。文中重点阐述了n ̄+p ̄+p-n结隔离击穿与n ̄+,p ̄+区掺杂浓度p-n结深度和器件特征尺寸之间的关系以及该工艺在电路中的应用等问题。
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关 键 词: | p-n结隔离CMOS,铝栅工艺,VLSI工艺 |
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