| 近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究 |
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| 引用本文： | 苏虹,査钢强,高俊宁,介万奇.近空间升华法制备CdZnTe厚膜及其性能研究[J].功能材料,2012,43(23):3322-3324,3328. |
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| 作者姓名： | 苏虹 査钢强 高俊宁 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,陕西西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，教育部新世纪优秀人才支持计划基金资助项目，国家重大科学仪器设备开发专项基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿(111)晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。
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| 关 键 词： | 近空间升华法 CdZnTe厚膜 薄膜探测器 光电性能 |
CdZnTe thick films deposited by close-spaced sublimation and its properties |
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| SU Hong,ZHA Gang-qiang,GAO Jun-ning,JIE Wan-qi.CdZnTe thick films deposited by close-spaced sublimation and its properties[J].Journal of Functional Materials,2012,43(23):3322-3324,3328. |
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| Authors: | SU Hong ZHA Gang-qiang GAO Jun-ning JIE Wan-qi |
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| Affiliation: | (State Key Laboratory of Solidification Processing,School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | closed-spaced sublimation CdZnTe thick film thin film detector photoelectric properties |
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