Ba膜氧化过程中电子发射特性的研究

本文研究了Ba在Ni表面沉膜,测量Ba膜氧化过程中电子发射的I-V特性和不同膜厚对逸出功的影响。用Gauss分布求逸出功,在氧量适当时,出现逸出功最低值,此时电子发射为最大。可用氧的一分为二作用来解释,初步支持了动态表面发射中心的观点。