| 非晶态和纳米晶碳化硅薄膜的制备及力学性能 |
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| 引用本文： | 王新华.非晶态和纳米晶碳化硅薄膜的制备及力学性能[J].真空科学与技术学报,2004,24(3):173-176,190. |
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| 作者姓名： | 王新华 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料系,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 以SiC超细粉为原料、利用热等离子体PVD(TPPVD)技术快速制备出了优质非晶态和纳米晶SiC薄膜.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱、红外分光谱对薄膜的微结构进行了观察和分析.用纳牛力学探针测量了薄膜的力学性能.研究结果表明,只有当基板温度低于600℃、粉末供给速度不超过20mg/min时可沉积非晶态SiC薄膜,最大沉积速度达到25nm/s;当基板温度在600℃～1000℃时沉积的β-SiC薄膜是晶粒大小为3 nm～5 nm的纳米晶薄膜,最大沉积速度达到230 nm/s.非晶态和纳米晶SiC薄膜的硬度分别达到33.8 GPa和38.6 GPa.
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| 关 键 词： | 碳化硅 薄膜 微结构 力学性能 |
| 文章编号： | 1672-7126(2004)03-0173-04 |
Growth and Mechanical Properties of Amorphous and Nanostructured SiC films |
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| Wang Xinhua.Growth and Mechanical Properties of Amorphous and Nanostructured SiC films[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2004,24(3):173-176,190. |
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| Authors: | Wang Xinhua |
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| Affiliation: | Wang Xinhua * |
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| Keywords: | Silicon carbide Films Microstructure Mechanical properties |
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