| In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质 |
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| 引用本文： | 杨晓杰,马文全,陈良惠.In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点的形貌和光学性质[J].红外与激光工程,2007,36(5):705-707,714. |
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| 作者姓名： | 杨晓杰 马文全 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 中国航天科工集团三院科技创新基金 |
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| 摘 要： | 提出了利用分子束外延方法生长In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In0.5Ga0.5As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层.由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究.
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| 关 键 词： | 量子点 应变耦合 光荧光谱 应变 耦合量子点 光学性质 optical properties 研究 选择 阻挡层 暗电流 量子点红外探测器 InGaAs 特征 宽禁带 材料 影响 浸润层 原子扩散 均匀性 密度 层厚度 隔离层 |
| 文章编号： | 1007-2276（2007）05-0705-03 |
| 修稿时间： | 2006-11-112007-01-08 |
Morphologic and optical properties of In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As strain-coupled quantum dots |
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| YANG Xiao-jie,MA Wen-quan,CHEN Liang-hui.Morphologic and optical properties of In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As strain-coupled quantum dots[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(5):705-707,714. |
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| Authors: | YANG Xiao-jie MA Wen-quan CHEN Liang-hui |
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| Affiliation: | Laboratory of Nano-Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Quantum dot Strain-coupled Photoluminescence |
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