| MTM反熔丝单元的总剂量效应研究 |
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| 引用本文： | 王栩,郑若成,徐海铭. MTM反熔丝单元的总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2015, 0(6) |
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| 作者姓名： | 王栩 郑若成 徐海铭 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第58研究所,江苏 无锡,214035 |
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| 摘 要： | 对单个MTM(Metal-to-Metal)反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究,模拟可编程器件实际应用环境,通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照(总剂量达2 Mrad(Si)),得到MTM反熔丝单元关键参数随总剂量的变化情况。通过实验及数据分析,最终得到结论:MTM反熔丝单元不会因总剂量辐照而发生状态翻转。
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| 关 键 词： | MTM 反熔丝 总剂量 |
The Affection of TID on MTM Anti-fuse Unit |
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| WANG Xu,ZHENG Ruocheng,XU Haiming. The Affection of TID on MTM Anti-fuse Unit[J]. Electronics & Packaging, 2015, 0(6) |
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| Authors: | WANG Xu ZHENG Ruocheng XU Haiming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MTM anti-fuse TID |
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