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碳化硅纳米晶须的制备研究进展
引用本文:吴艳军,蔡炳初,张亚非,吴建生.碳化硅纳米晶须的制备研究进展[J].电子元件与材料,2003,22(9):41-44.
作者姓名:吴艳军  蔡炳初  张亚非  吴建生
作者单位:上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室,微纳米科学技术研究院,上海,200030
基金项目:国家自然科学基金资助项目(No.50272039)
摘    要:介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)等。分析了各种方法的特点及存在的问题。对制备SiC纳米晶须的前景与发展方向进行了评述。

关 键 词:SiC纳米晶须  制备方法  纳米电子材料  纳米复合材料
文章编号:1001-2028(2003)09-0041-04

New Progress on Manufacture Technology for SiC Nanorods
WU Yan-jun,CAI Bing-chu,ZHANG Ya-fei,Wu Jian-sheng.New Progress on Manufacture Technology for SiC Nanorods[J].Electronic Components & Materials,2003,22(9):41-44.
Authors:WU Yan-jun  CAI Bing-chu  ZHANG Ya-fei  Wu Jian-sheng
Abstract:Some manufacture technologies for SiC Nanorods are presented. They are the process of solid-phase carbon source, including arc-discharge, evaporation at high temperature, growth of SiOx film and carbon nanotube-confined reaction; the process of liquid-phase carbon source, including sol-gel; and the process of vapor-phase carbon source, including floating catalysis and nano-film catalysis
Keywords:SiC nanorods  manufacture technology  nano-electronic material  nano-composite material
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