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4千兆赫下噪声3.6分贝的硅双极晶体管
引用本文:广益.4千兆赫下噪声3.6分贝的硅双极晶体管[J].微电子学,1972(Z1).
作者姓名:广益
摘    要:随着器件工艺的发展,小信号硅微波晶体管性能有了很大改进,其中比较主要的器件工艺是: 1.1 微米发射极条宽; 2.砷扩散发射极; 3.与浅结结构相容的欧姆接触。由于这些工艺研究的应用,已制作成在4千兆下噪声系数3.6分贝的硅晶体管。

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