| 低介电常数a-C:F薄膜结构和热稳定性研究 |
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| 引用本文： | 吴振宇,杨银堂,汪家友. 低介电常数a-C:F薄膜结构和热稳定性研究[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(5): 355-357,377 |
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| 作者姓名： | 吴振宇 杨银堂 汪家友 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF2=CF (1780 cm-1)结构.C1s峰高斯解叠后结合态与结合能对应关系为:CF3(295 eV),CF2(293 eV),CF(291 eV),C-O(289 eV),C-CFx(x=1～3)(287 eV),以及位于a-C:F薄膜交联结构末端的C-C结合态(285 eV).位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构热稳定性较差,退火后容易生成气态挥发物并导致a-C:F薄膜厚度减小.当C-CFx交联结构增多,且位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构减少时,a-C:F薄膜热稳定性提高.
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| 关 键 词： | 化学气相沉积 热稳定性 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）05-0355-03 |
| 收稿时间： | 2005-01-18 |
| 修稿时间： | 2005-01-18 |
Study on Structure and Thermal Stability of Low-κ a-C:F Films |
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| Wu Zhenyu,Yang Yintang,Wang Jiayou. Study on Structure and Thermal Stability of Low-κ a-C:F Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(5): 355-357,377 |
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| Authors: | Wu Zhenyu Yang Yintang Wang Jiayou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-C:F XPS |
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