在硅衬底上制作光器件

<正>据日本《电视学会志》1991年第8期报道,日本NTT的光电研究所首先成功地在硅衬底上嵌入性质不同的光器件,并在常温下能够连续1000小时以上稳定振荡发光。 通常,硅器件没有发光功能,在光器件中大都采用GaAs和InP等化合物半导体。于是研究在硅衬底上集成光器件的混合器件,但由于各种材料热膨胀系数不同。在晶体中还产生缺陷,发光时间仅为十几小时。