| ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤 |
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| 引用本文： | 曹萌,吴惠桢,劳燕锋,黄占超,刘成,张军,江山.ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤[J].半导体学报,2006,27(1):178-182. |
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| 作者姓名： | 曹萌 吴惠桢 劳燕锋 黄占超 刘成 张军 江山 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院研究生院，北京 100039;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050;武汉邮电科学研究院，武汉 430074;武汉邮电科学研究院，武汉 430074 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.
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| 关 键 词： | 干法刻蚀 应变量子阱 光致发光谱 损伤 刻蚀 应变多量子阱 损伤深度 Damage Etching Investigation Multiple Quantum Wells 隧穿 机理 分析 比较 理论 计算 模型 应用 样品 光致发光谱 多量子阱结构 测量 感应耦合等离子体 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)01-0178-05 |
| 收稿时间： | 05 21 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 10 3 2005 12:00AM |
Investigation of ICP Etching Damage of InAsP/InP Strained Multiple Quantum Wells |
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| Cao Meng,Wu Huizhen,Lao Yanfeng,Huang Zhanchao,Liu Cheng,Zhang Jun and Jiang Shan.Investigation of ICP Etching Damage of InAsP/InP Strained Multiple Quantum Wells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(1):178-182. |
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| Authors: | Cao Meng Wu Huizhen Lao Yanfeng Huang Zhanchao Liu Cheng Zhang Jun and Jiang Shan |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Graduate School of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100039, China;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Shanghai Institute of Microsystem andInformation Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Wuhan Research Institute of Posts & Telecommunications,Wuhan 430074,China;Wuhan Research Institute of Posts & Telecommunications,Wuhan 430074,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dry etching strained multiple quantum wells PL spectra damage |
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